/PROP/TYPE10 (SH_COMP)

フォーマット

定義

例

図 1. それぞれ異なる材料方向（繊維方向）を持つ6つの層

#RADIOSS STARTER
#---1----|----2----|----3----|----4----|----5----|----6----|----7----|----8----|----9----|---10----|
#-  1. LOCAL_UNIT_SYSTEM:
#---1----|----2----|----3----|----4----|----5----|----6----|----7----|----8----|----9----|---10----|
/UNIT/2
unit for prop
#              MUNIT               LUNIT               TUNIT
                  kg                  mm                  ms
#---1----|----2----|----3----|----4----|----5----|----6----|----7----|----8----|----9----|---10----|
#-  2. GEOMETRICAL SETS:
#---1----|----2----|----3----|----4----|----5----|----6----|----7----|----8----|----9----|---10----|
/PROP/SH_COMP/2/2
SH_COMP example
#   Ishell    Ismstr     Ish3n    Idrill
        12         0         0         0
#                 hm                  hf                  hr                  dm                  dn
                   0                   0                   0                  .1                  .1
#        N   Istrain               Thick              Ashear              Ithick     Iplas
         6         0                 1.8                   0                   1         1
#                 Vx                  Vy                  Vz
                   1                   0                   1
#              Phi_1               Phi_2               Phi_3               Phi_4               Phi_5
                 -60                 -30                   0                  30                  60
                  90
#---1----|----2----|----3----|----4----|----5----|----6----|----7----|----8----|----9----|---10----|
#enddata
#---1----|----2----|----3----|----4----|----5----|----6----|----7----|----8----|----9----|---10----|

コメント

1. I_shell、I_sh3n – 4節点および3節点シェル定式化フラグ
   • I_shell=1、2、3、4 （Q4）： アワグラス摂動安定化を伴うオリジナルの4節点Radiossシェル。
   • I_shell=24 （QEPH）： 汎用の物理的なアワグラス安定化を伴う定式化。
   • I_shell=12 （QBAT）： 修正済みBATOZ Q4γ24シェル（4つのGauss積分点を伴う）および面内せん断用の低減積分。このシェルに対して、アワグラス制御は必要ありません。
   • I_sh3n=30 （DKT18）： 3つのHammer積分点を伴うBATOZ DKT18薄肉シェル。
   • フラグI_shell =2は、シェル要素の1つの積分点と適合性がありません。
2. I_smstr - 微小ひずみ定式化
   • I_smstr = 1または3の場合、微小ひずみ定式化は時間t= 0からアクティブになります。これは高速予備解析で使用できますが、結果の精度は保証されません。 $\text{Δ}\text{t<}\text{Δ}{\text{t}}_{\text{min}}$ であるシェルは、Radioss Engineオプション/DT/SHELL/CSTによって微小ひずみ定式化に切り替えることができます。ただし、I_smstr = 4の場合を除きます。
   • I_smstr = 1または3に設定した場合、材料則で指定されるひずみと応力は、工学ひずみと工学応力になります。それ以外を設定した場合は、真ひずみと真応力になります。
3. h_m、h_fおよびh_r - アワグラス係数
   • 、h_m、h_fおよびh_rは、Q4シェル（I_shell=1、2、3、4）に対してのみ使用されます。これらは0～0.05の値でなければなりません。
   • I_shell=3では、h_mとh_rのデフォルト値は0.1になり、さらに大きい値が可能です。
4. d_n - シェル数値減衰係数
   • d_n は、I_shell =12、24およびI_sh3n = 30の場合のみ使用されます：
     • I_shell =24（QEPH）の場合、d_nは、アワグラス応力計算で使用されます
     • I_shell =12（QBAT）の場合、d_nは横せん断を除くすべての応力項で使用されます
     • I_sh3n =30（DKT18）の場合、d_nは膜に対してのみ使用されます
5. I_thick - シェル合応力計算フラグ
   • /MAT/LAW32 (HILL)では、フラグI_thickは自動的に1に設定されます。
   • I_thick =1の場合、該当する要素タイプの微小ひずみオプションは自動的に非アクティブ化されます。
6. I_plas - シェル平面応力塑性フラグ
   • I_thick =1の場合、I_plas =1の使用が推奨されます。
   • I_plas =1の場合、該当する要素タイプの微小ひずみオプションは自動的に非アクティブ化されます。
7. I_dril
   • 回転自由度剛性は、特にRiks法および曲げ主体の問題の陰的解法に推奨されます。
   • I_drilは、QEPH, QBAT（I_shell  = 12、24）と標準の三角形（C0） シェル要素（I_sh3n = 1、2）で使用可能です。
8. ポスト処理用出力
   • 材料則LAW25では、フラグI_strainは自動的に1に設定されます。
9. 局所座標系での直交異方性
   • 全体ベクトル $V$ （行6で定義されている成分）と層ごとの角度 ${\varphi }_i$ （単位は度）
   • シェル要素平面に投影されたベクトル $V$ が、次のベクトルになります。 $V^{\prime }$ そこで、各層について、直交方向（方向1）はベクトル $V^{\prime }$ を ${\varphi }_i$ 度回転（シェルの法線 $n$ に対し正の方向に回転）。

     
     
     図 2.

   • 参照メトリクスの場合、初期形状ではなく参照形状を使用して異方性方向の方向付けを定義する必要があります。
   • 層は一つ一つ下から上へと積み上げられます。

     
     
     図 3.

10. P_thick_fail パラメータは、LAW36の塑性破壊ひずみのような材料則そのもの内で定義された破壊と適合性がありません。
11. /FAILモデルと使用される要素削除のルール
    • 低減積分要素（Belytschko、QEPH、DKT18）
      • 複数の破壊モデルがシェル材料に適用されている場合、もしくはP_thickfail=0（空白）である場合、P_thickfailの値は各破壊モデルの設定から個々に計算されます。
        例：

        Ifail_sh = 1

        要素を削除するに十分な1積分点破壊

        ≧P_thick_fail = 1.0 e-6

        Ifail_sh = 2

        要素を削除するに必要な全積分点破壊

        ≧ P_thick_fail = 1.0

      • 1つだけの破壊モデルがシェル材料に適用されている場合、プロパティからのP_thickfail_{fail_sh}の値がデフォルトで取られ、破壊モデルからの局所I設定を上書きします。
    • 完全積分シェル（Batoz、DKT_S3）：
      • 低減積分シェル用に記述されるルールは、各Gauss点に別々に適用されます。P_thick_fail 率は、面内Gauss点の板厚内の全積分点についてチェックされます。全Gauss点がP_thick_fail率基準に達すると、要素は削除されます。